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RGTH80TS65GC11 Spécifications techniques
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Power - Max | 234W |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Detailed Description | IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
Td (on/off) @ 25°C | 34ns/120ns |
Supplier Device Package | TO-247N |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 10 Weeks |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 79nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
RGTH80TS65GC11 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RGTH80TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs simples | |
RGTH80TK65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs simples | |
RGTH80TS65DG | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 330 |
RGTH80TS65DGC11 | LAPIS Semiconductor | Transistors - IGBT - Simple | 2507 |
RGTH80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs simples | |
RGTH80TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs simples |
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