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RP1L080SNTR
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RP1L080SNTR Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Supplier Device Package | MPT6 |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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