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RRH090P03TB1
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RRH090P03TB1 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Power Dissipation (Max) | 650mW (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.4 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RRH090P03TB1 Documents
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