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RS1E180BNTB Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 60A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TSMT8
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RS1E180BNTB fabricants de marques: LAPIS Semiconductor, Bonchip action, RS1E180BNTB prix de référence. RS1E180BNTB paramètres, RS1E180BNTB Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RS1E180BNTB Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RS1E180BNTB schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RS1E180BNTB tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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