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RS1E200BNTB Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-HSOP
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RS1E200BNTB fabricants de marques: LAPIS Semiconductor, Bonchip action, RS1E200BNTB prix de référence. RS1E200BNTB paramètres, RS1E200BNTB Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RS1E200BNTB Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RS1E200BNTB schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RS1E200BNTB tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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