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RSD050N06TL
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RSD050N06TL Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 5A SOT428
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | CPT3 |
Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
RSD050N06TL Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RSD050N06 | R | Circuits intégrés spécialisés | 50443 |
RSD050N06 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 10869 |
RSD050N06 TL | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 82 |
RSD050N06FRA | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 14044 |
RSD050N10 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 50266 |
RSD050N10 TL | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1133 |
RSD050N10FRA | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 19862 |
RSD050N10TL | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2324 |
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