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RT1A040ZPTR Spécifications techniques

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 8-TSST
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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