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SCT2450KEC Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585 mOhm @ 3A, 18V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 463pF @ 800V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 18V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
SCT2450KEC Documents
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