TT8U2TCR Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Supplier Device Package 8-TSST
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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