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UM6J1NTN Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 200mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | UMT6 |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA |
UM6J1NTN Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UM6J1 | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
UM6J1 NTN | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
UM6J1N | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3556 |
UM6J1N TN | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 11604 |
UM6J1N TN IC | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 11760 |
UM6J1NTN | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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