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UMG9NTR
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UMG9NTR Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | UMT5 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UMG9N | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1019 |
UMG9N TR | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1326 |
UMG9NFSTR | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3443 |
UMG9NTR | ROHM Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
UMG9NTR IC | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 425 |
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