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UMH1NTN
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UMH1NTN Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | UMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Original-Reel® |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
UMH1N | SOT23-6 | Circuits intégrés spécialisés | 3390 |
UMH1N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2779 |
UMH1N-TP | Micro Commercial Co | Arrays de transistors BJT | |
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