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4N35 Spécifications techniques
OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Isolateurs / Opto-isolateurs - Transistor, Sortie Photovoltaïque |
Manufacturer | Lite-On, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Output (Max) | 30V |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Turn On / Turn Off Time (Typ) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 3µs, 3µs |
Package / Case | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Operating Temperature | -55°C ~ 100°C |
Mounting Type | Through Hole |
Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 10mA |
Current - Output / Channel | 100mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Isolation | 3550Vrms |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Supplier Device Package | 6-DIP |
Packaging | Tube |
Output Type | Transistor with Base |
Number of Channels | 1 |
Input Type | DC |
Current Transfer Ratio (Max) | - |
Current - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
4N35 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
4N35 | Fairchild/ON Semiconductor | Opto-isolateurs - Transistor, Sortie Photovoltaïque | 2430 |
4N35 | Everlight Electronics | Opto-isolateurs - Transistor, Sortie Photovoltaïque | 120675 |
4N35 | Vishay / Semiconductor - Opto Division | Opto-isolateurs - Transistor, Sortie Photovoltaïque | 120953 |
4N35 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Opto-isolateurs - Transistor, Sortie Photovoltaïque | 120801 |
4N35 | Vishay Semiconductor Opto Division | Opto-isolateurs photovoltaïques | |
4N35 | Lite-On Inc. | Opto-isolateurs photovoltaïques | |
4N35 | Everlight Electronics Co Ltd | Opto-isolateurs photovoltaïques | |
4N35 | ON Semiconductor | Opto-isolateurs photovoltaïques | |
4N35 IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1164 |
4N35(SHORT,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Opto-isolateurs - Transistor, Sortie Photovoltaïque | 2520 |
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