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SICW028N120A4-BP Spécifications techniques

The SICW028N120A4-BP from Micro Commercial Components is a MOSFET with Continous Drain Current 80 A, Drain Source Resistance 40 milli-ohm, Drain Source Breakdown Voltage 1200 V, Gate Source Voltage -5 to 22 V, Gate Source Threshold Voltage 2 V. Tags: Through Hole.

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Micro Commercial Components (MCC)
Factory Lead Time 3 Weeks
Description N-Channel 1200 V 80A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247-4
Transistor Polarity N-Channel
Continous Drain Current 80 A
Drain Source Breakdown Voltage 1200 V
Gate Source Threshold Voltage 2 V
Power Dissipation 375 W
Package Type Through Hole
Applications Solar Inverters, Switch Mode Power Supplies, High Voltage DC/DC Converters, Battery Chargers, Motor Drives
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Types of MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Number of Channels Single
Drain Source Resistance 40 milli-ohm
Gate Source Voltage -5 to 22 V
Gate Charge 168 nC
Temperature operating range -55 to 175 Degree C
Package TO-247-4
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SICW028N120A4-BP fabricants de marques: Micro Commercial Components (MCC), Bonchip action, SICW028N120A4-BP prix de référence. SICW028N120A4-BP paramètres, SICW028N120A4-BP Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SICW028N120A4-BP Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SICW028N120A4-BP schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SICW028N120A4-BP tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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