DN3535N8-G Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH INPUT IMPEDANCE
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ω @ 150mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 230mA
Drain to Source Breakdown Voltage 350V
FET Feature Depletion Mode
Length 4.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Power Dissipation 1.6W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 0.5A
Height 1.6mm
Width 2.6mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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DN3535N8-G Micrel / Microchip Technology Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 1805

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