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LND150N3-G-P003
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LND150N3-G-P003 Spécifications techniques
MOSFET,DEPLETION-MODE,500V,1K Ohm3 TO-92T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Microchip Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Weight | 453.59237mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Position | BOTTOM |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ω @ 500μA, 0V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30mA Tj |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 0V |
Fall Time (Typ) | 1.3 μs |
Continuous Drain Current (ID) | 30mA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 500V |
Height | 5.33mm |
Width | 4.19mm |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 740mW Ta |
Turn On Delay Time | 90 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
Rise Time | 450ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 100 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
FET Feature | Depletion Mode |
Length | 5.21mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
LND150N3-G-P003 Documents
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Feuilles de données
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