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LP0701LG-G Spécifications techniques

MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-16.5V,1.5 Ohm8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW THRESHOLD
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA Tj
Drain to Source Voltage (Vdss) 16.5V
Vgs (Max) ±10V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Drain to Source Breakdown Voltage -16.5V
Height 1.65mm
Width 3.9mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 84.99187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 1.5W Tc
Power Dissipation 1.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ω @ 300mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 15V
Rise Time 20ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2V 5V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 700mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.7A
Feedback Cap-Max (Crss) 60 pF
Length 4.9mm
Radiation Hardening No
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