TN0604N3-G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH INPUT IMPEDANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 740mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 700mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.7A
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 453.59237mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 740mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750m Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 20V
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.75Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 50 pF
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
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