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TP2522N8-G Spécifications techniques

MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 260mA Tj
Drain to Source Voltage (Vdss) 220V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -220V
Height 1.6mm
Width 2.6mm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 12Ohm
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ω @ 200mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 25V
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) -260mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.26A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 2A
Length 4.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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