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VN2450N8-G Spécifications techniques

Mosfet; N-channel Enhancement-mode; 500V; 13 OHM3 SOT-89T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature FAST SWITCHING
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 250mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.25A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 0.75A
Length 4.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 Ω @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Height 1.6mm
Width 2.6mm
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