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VN2460N8-G Spécifications techniques

MOSFET 600V 20Ohm

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 1 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature FAST SWITCHING
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 160mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Height 1.6mm
Width 2.6mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ω @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 25Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 25 pF
Length 4.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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