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VP3203N3-G Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 30V 0.65A 3-Pin TO-92

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH INPUT IMPEDANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 740mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 650mA Tj
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.6Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 60 pF
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 453.59237mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Subcategory Other Transistors
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 740mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600m Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 650mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.65A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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