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EDB4064B4PB-1DIT-F-D
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D Spécifications techniques
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Gb (64M x 64) |
Memory Format | DRAM |
Detailed Description | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.14 V ~ 1.95 V |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TC) |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 533MHz |
EDB4064B4PB-1DIT-F-D Documents
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Feuilles de données
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