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MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Spécifications techniques

IC FLASH 1.125TBIT 132VBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.5 V ~ 3.6 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Size 1.125Tb (144G x 8)
Interface Parallel
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Speed -
Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MT29E128G08CECABH1-10:A Micron Technology Circuits intégrés spécialisés 1000
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Mémoire 2595
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR Micron Technology Mémoire 2619
MT29E128G08CECDBJ4-6:D Micron Technology Mémoire 2710
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR Micron Technology Mémoire 2792
MT29E128G08CMCBBH2-12:B Micron Technology Circuits intégrés spécialisés 1000
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B Micron Technology Mémoire 2702
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR Micron Technology Mémoire 2735
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B Micron Technology Mémoire 18
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR Micron Technology Mémoire 2738

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MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR fabricants de marques: Micron Technology, Bonchip action, MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR prix de référence. MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR paramètres, MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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