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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Spécifications techniques

IC FLASH 4TBIT 333MHZ LBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.5 V ~ 3.6 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Size 4Tb (512G x 8)
Interface Parallel
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Speed 333MHz
Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MT29E128G08CECABH1-10:A Micron Technology Circuits intégrés spécialisés 1000
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Mémoire 2595
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR Micron Technology Mémoire 2619
MT29E128G08CECDBJ4-6:D Micron Technology Mémoire 2710
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR Micron Technology Mémoire 2792
MT29E128G08CMCBBH2-12:B Micron Technology Circuits intégrés spécialisés 1000
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B Micron Technology Mémoire 2702
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR Micron Technology Mémoire 2735
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B Micron Technology Mémoire 18
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR Micron Technology Mémoire 2738

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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B fabricants de marques: Micron Technology, Bonchip action, MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B prix de référence. MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B paramètres, MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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