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MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR Spécifications techniques

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND
Other Names MT29F1G08ABAEAWP-AITX:ETR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 1Gb (128M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR Micron Technology Mémoire 2683
MT29F128G08AECBBH6-6IT: MICRON Circuits intégrés spécialisés 2900
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Micron Technology Mémoire 352
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MICRON Circuits intégrés spécialisés 831
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Micron Technology Mémoire 2550
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Mémoire 2742
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR Micron Technology Mémoire 2771
MT29F128G08AJAAAWP Micron Technology Circuits intégrés spécialisés 6682
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A Micron Technology Mémoire 2573
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR Micron Technology Mémoire 2744

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