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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR
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MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR Spécifications techniques
IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND |
Other Names | MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR-ND MT29F2G08ABAGAWP-ITE:GTR |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 2Gb (256M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR Documents
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