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MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Spécifications techniques

IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Series Automotive, AEC-Q100
Other Names MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR-ND MT29F2G16ABBEAH4-AAT:ETR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 2Gb (128M x 16)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR Micron Technology Mémoire 2683
MT29F128G08AECBBH6-6IT: MICRON Circuits intégrés spécialisés 2900
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Micron Technology Mémoire 352
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B MICRON Circuits intégrés spécialisés 831
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Micron Technology Mémoire 2550
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Mémoire 2742
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR Micron Technology Mémoire 2771
MT29F128G08AJAAAWP Micron Technology Circuits intégrés spécialisés 6682
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A Micron Technology Mémoire 2573
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR Micron Technology Mémoire 2744

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