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MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR
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MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR Spécifications techniques
IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TC) |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
Other Names | MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR-ND MT29F4G08ABAFAWP-AATES:FTR |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status | Lead free |
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR Documents
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Feuilles de données
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