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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Spécifications techniques
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Other Names | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR-ND MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80FTR |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Memory Format | FLASH, RAM |
Detailed Description | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.8V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 533MHz |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Documents
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