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MT40A512M8RH-083E AAT:B
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MT40A512M8RH-083E AAT:B Spécifications techniques
IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | SDRAM - DDR4 |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TC) |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 1.2GHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.14 V ~ 1.26 V |
Other Names | MT40A512M8RH-083E AAT:B-ND MT40A512M8RH-083EAAT:B |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Memory Format | DRAM |
Detailed Description | SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz |
MT40A512M8RH-083E AAT:B Documents
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