MT44K64M18RB-083F:A Spécifications techniques

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology DRAM
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 1.125Gb (64Mb x 18)
Memory Format DRAM
Detailed Description DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 6.67ns
Access Time 6.67ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.28 V ~ 1.42 V
Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1200MHz
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