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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR Spécifications techniques

IC DRAM 4G 1600MHZ

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Other Names MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR-ND MT53B128M32D1DS-062AUT:ATR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (128M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1600MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Mémoire 2561
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Mémoire 2698
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