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MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D Spécifications techniques

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Operating Temperature -30°C ~ 85°C (TC)
Memory Size 16Gb (512M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Other Names MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D-ND MT53B512M32D2NP-062WTES:D
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status Lead free
Clock Frequency 1600MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Micron Technology Mémoire 2606
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Mémoire 2662
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Mémoire 2561
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Mémoire 2698
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Mémoire 2778
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Mémoire 2505
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Mémoire 2511
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Mémoire 2602
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Mémoire 2710
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Mémoire 2728

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