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MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Spécifications techniques

IC DRAM 32G 1600MHZ

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Other Names MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR-ND MT53B512M64D4NW-062WT:DTR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 32Gb (512M x 64)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -30°C ~ 85°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1600MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Mémoire 2561
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Mémoire 2698
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Mémoire 2778
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Mémoire 2505
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Mémoire 2511
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