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MT53D1G64D8SQ-053 WT:E
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MT53D1G64D8SQ-053 WT:E Spécifications techniques
IC DRAM 64G 1866MHZ
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Operating Temperature | -30°C ~ 85°C (TC) |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | - |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 1866MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.1V |
Other Names | MT53D1G64D8SQ-053 WT:E-ND MT53D1G64D8SQ-053WT:E |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 64Gb (1G x 64) |
Memory Format | DRAM |
Detailed Description | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 64Gb (1G x 64) 1866MHz |
MT53D1G64D8SQ-053 WT:E Documents
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