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MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
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MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Spécifications techniques
IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Operating Temperature | -30°C ~ 105°C (TC) |
Memory Size | 16Gb (256M x 64) |
Memory Format | DRAM |
Detailed Description | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 2133MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.1V |
Other Names | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B-ND MT53D256M64D4NY-046 XTES:B MT53D256M64D4NY-046 XTES:B-ND MT53D256M64D4NY-046XTES:B |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | - |
Lead Free Status | Lead free |
Clock Frequency | 2133MHz |
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Documents
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