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MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR Spécifications techniques

IC DRAM 12G 1866MHZ

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Other Names MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR-ND MT53D384M32D2DS-053WTES:CTR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 12Gb (384M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -30°C ~ 85°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1866MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR Micron Technology Mémoire 2602
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D Micron Technology Mémoire 0
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR Micron Technology Mémoire 0
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