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MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR Spécifications techniques

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Other Names MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR-ND MT53D512M32D2NP-053WTES:DTR
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status Lead free
Clock Frequency 1866MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -30°C ~ 85°C (TC)
Memory Size 16Gb (512M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1866MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D Micron Technology Mémoire 2522
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D TR Micron Technology Mémoire 2602
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D Micron Technology Mémoire 0
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR Micron Technology Mémoire 0
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MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR Micron Technology Mémoire 2526
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E Micron Technology Mémoire 2579
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