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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Spécifications techniques

IC DRAM 32G 1866MHZ

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Operating Temperature -30°C ~ 85°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1866MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Other Names MT53D512M64D4RQ-053 WT:E-ND MT53D512M64D4RQ-053WT:E
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 32Gb (512M x 64)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E fabricants de marques: Micron Technology, Bonchip action, MT53D512M64D4RQ-053 WT:E prix de référence. MT53D512M64D4RQ-053 WT:E paramètres, MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MT53D512M64D4RQ-053 WT:E schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MT53D512M64D4RQ-053 WT:E tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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