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NAND128W3A2BNXE
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NAND128W3A2BNXE Spécifications techniques
IC FLASH 128MBIT 50NS 48TSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Speed | - |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Format | FLASH |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 48-TSOP |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Size | 128Mb (16M x 8) |
Interface | Parallel |
NAND128W3A2BNXE Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NAND128W3A0AN6E | STMicroelectronics | Mémoire | 2580 |
NAND128W3A0AN6F | STMicroelectronics | Mémoire | 2651 |
NAND128W3A0BN6 | ST | Circuits intégrés spécialisés | 2694 |
NAND128W3A0BN6 IC | ST | Circuits intégrés spécialisés | 2180 |
NAND128W3A0BN6E | Micron Technology | Mémoire | 2675 |
NAND128W3A0BN6F | ST | Circuits intégrés spécialisés | 1175 |
NAND128W3A0BN6F TR | Micron Technology | Mémoire | 2639 |
NAND128W3A2BN6 | ST | Circuits intégrés spécialisés | 35139 |
NAND128W3A2BN6 IC | ST | Circuits intégrés spécialisés | 539 |
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