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NAND512W3A2CN6E Spécifications techniques

IC FLASH 512MBIT 48TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Speed -
Package / Case 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 48-TSOP
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 512Mb (64M x 8)
Interface Parallel
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
NAND512 ST/Numony Circuits intégrés spécialisés 12
NAND512R3A2AZA6E STMicroelectronics Mémoire 2614
NAND512R3A2BZA6 STM Circuits intégrés spécialisés 439
NAND512R3A2BZA6E STMicroelectronics Mémoire 2606
NAND512R3A2CZA6 ST Circuits intégrés spécialisés 2615
NAND512R3A2CZA6E Micron Technology Mémoire 435
NAND512R3A2DZA6 ST Circuits intégrés spécialisés 2700
NAND512R3A2DZA6E Micron Technology Mémoire 15658
NAND512R3A2SE06 Micron Technology Mémoire 2671
NAND512R3A2SN6E Micron Technology Mémoire 2642

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