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PN28F256M29EWHD TR
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PN28F256M29EWHD TR Spécifications techniques
IC FLASH 256M PARALLEL VFBGA
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Micron Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 100ns |
Technology | FLASH - NOR |
Other Names | PN28F256M29EWHDTR |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 100ns |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 100ns |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PN28F128M29EWHA | Micron Technology | Mémoire | 736 |
PN28F128M29EWHA TR | Micron Technology | Mémoire | 2618 |
PN28F256M29EWHA | Micron Technology | Mémoire | 2579 |
PN28F256M29EWHA IC | Micron Technology | Circuits intégrés spécialisés | 13047 |
PN28F256M29EWHD | Micron Technology | Mémoire | 570 |
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