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1N5811US Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Package / Case | SQ-MELF, B |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
1N5811 | Semtech | Diodes - Redresseurs - Simple | 5371 |
1N5811C.TR | Semtech | Diodes - Redresseurs - Simple | 2696 |
1N5811TR | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2735 |
1N5811US | Semtech | Diodes - Redresseurs - Simple | 0 |
1N5811US | Microsemi Corporation | Redresseur à Diode Monophasé | |
1N5812 | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2779 |
1N5812R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2551 |
1N5813 | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2617 |
1N5813R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 0 |
1N5814 | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2633 |
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1N5811US fabricants de marques: Microsemi, Bonchip action, 1N5811US prix de référence. 1N5811US paramètres, 1N5811US Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 1N5811US Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 1N5811US schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 1N5811US tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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