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2731-200P Spécifications techniques
RF POWER TRANSISTOR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Supplier Device Package | Module |
Package / Case | Module |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequency - Transition | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | - |
Power - Max | - |
Operating Temperature | - |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gain | 8.7dB |
Detailed Description | RF Transistor 2.7GHz ~ 3.1GHz Chassis Mount Module |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
2731-200P Documents
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-
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2731-100M | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2562 |
2731-20 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2722 |
2731-200P | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT |
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