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2N5013 Spécifications techniques
NPN SILICON TRANSISTOR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800V |
Supplier Device Package | TO-5 |
Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1W |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
2N5013 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5010 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2670 |
2N5011 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2774 |
2N5012 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2565 |
2N5012 | Microsemi Corporation | Transistors BJT simples | |
2N5012S | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2625 |
2N5013S | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2636 |
2N5014 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 0 |
2N5014 | Microsemi Corporation | Transistors BJT simples | |
2N5014S | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2643 |
2N5015 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2577 |
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