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2N6796 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250mA
Supplier Device Package TO-39
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.34nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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