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APT10M11B2VFRG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS V®
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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