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APT10SCD65KCT Spécifications techniques
DIODE SILICON 650V 17A TO220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Supplier Device Package | TO-220 [K] |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Package / Case | TO-220-2 |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 650V |
Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 17A |
APT10SCD65KCT Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT1001R1BN | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 642 |
APT1001R2HN | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2982 |
APT1001R3BN | APT | Circuits intégrés spécialisés | 6948 |
APT1001R6BN | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2845 |
APT1001RBLC | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2879 |
APT1001RBN | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 12388 |
APT1001RBNR | IXYS | Circuits intégrés spécialisés | 2686 |
APT1001RBVFR | APTMICROSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 2360 |
APT1001RBVFRG | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2464 |
APT1001RBVR | APT | Circuits intégrés spécialisés | 19 |
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