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APT19M120J Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 545W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 14A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9670pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A |
APT19M120J Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT19F100J | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2783 |
APT19F100J | Microsemi Corporation | Transistors MOSFET simples |
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